中国半导体掩模版行业白皮书 · 供应链安全（For 国资研究者）

1. 战略定位：第三大半导体材料

掩模版是仅次于硅片和电子特气的第三大半导体材料，占晶圆制造材料约一成，是图形转移的核心耗材，战略地位突出。

2. 自主可控缺口量化

3. 卡脖子三环节详解

• 空白基板：9N 级合成石英，国内主流 5N，差 4 个数量级；HOYA/AGC/信越垄断。
• 制造设备：电子束直写机受出口管制，KLA/NuFlare/JEOL 垄断。
• 功能靶材：高端钼硅依赖进口。

4. 国产化路径与十五五

"十五五"纲要明确实施集成电路基础再造，支持光掩模版等短板材料本地化配套；大基金及专项工程缩短认证周期。路径：DUV 基板突破 → 130–40nm PSM 量产 → 28nm 验证 → 14nm 布局。

5. 本土企业突破进展

• 路维光电：130–28nm 节点，G11 高世代，增长最快。
• 清溢光电：180nm 量产、28nm 规划，半导体占比提升。
• 龙图光罩：90nm 量产、65nm 送样。
• 冠石科技：45/55/90nm、28nm 验证，绑定华虹。
• 菲利华：上游石英基板 G4.5–G10.5，国产核心标的。

6. 政策与基金支持

国家大基金及专项工程持续投入，有效缩短国产掩模版认证周期、加速产业化；独立第三方厂商份额提升是确定性趋势。

7. 风险研判

• 上游基板/设备国产化不及预期，扩产周期长；
• EUV 节点空白，先进制程替代缺位；
• 晶圆厂 inhouse 模式挤压第三方市场化空间。

本报告为产业安全研究，不构成投资建议。